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Información
Resumen
Comisiones
Documentos
Categoría
Benchmark
NASDAQ Global Semiconductor NR USD
ETF indexado
Sí
Patrimonio del fondo
88,2M€
Patrimonio de la clase
88,2M€
Fecha de inicio
25/01/2022
Comisión de gestión
0,350%
Comisión de éxito
n/a
Comisión de custodia
n/a
Gastos corrientes
0,350%
Comisión de reembolso
n/a
Comisión de suscripción
n/a
Rentabilidad
Por periodos
Por años
HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF
| Clases disponibles | ISIN | Dónde lo puedes comprar | Útimo valor liquidativo | Rentabilidad 3 años | Inversión mínima | Coste de Gestión | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IE000YDZG487 | 13,07$ | 10,76% | — | 0,350% |
*Rentabilidad anualizada
IE000YDZG487
Clase única
2025-19,89%
5 años—
Riesgo7 / 7
Gastos0,350%
Ratios
Principales ratios (en euros) del ETF HSBC NASDAQ Global Semiconductor UCITS ETF:
12 meses
3 años
5 años
Rentabilidad
-15,24%
Volatilidad
n/a
Máxima caída
n/a
Alpha
-17,76
Beta
1,00
Ratio de Sharpe
n/a
R Cuadrado
78,96
Tracking Error
8,90
Correlación
88,86
Ratio de Información
-1,94
Rentabilidad anualizada
10,76%
Volatilidad
n/a
Máxima caída
n/a
Alpha
-1,46
Beta
1,29
Ratio de Sharpe
n/a
R Cuadrado
85,60
Tracking Error
14,31
Correlación
92,52
Ratio de Información
-0,12
Rentabilidad anualizada
—
Volatilidad
n/a
Máxima caída
n/a
Alpha
n/a
Beta
n/a
Ratio de Sharpe
n/a
R Cuadrado
n/a
Tracking Error
n/a
Correlación
n/a
Ratio de Información
n/a
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